Infineon liefert erste Siliziumkarbid-Produkte aus. Damit sei der „technologische Hattrick“ gelungen.

Leistungshalbleiter auf Siliziumkarbid (SiC)-Basis revolutionieren Hochleistungsanwendungen: Sie können Strom effizienter schalten, weisen hohe Zuverlässigkeit und Robustheit unter extremen Bedingungen auf und ermöglichen noch kleinere Designs. Nun meldet der Halbleiterkonzern Infineon bei der Umsetzung der 200-mm-SiC-Strategie „entscheidende Fortschritte“. Noch im ersten Quartal werden die ersten Produkte auf Basis der neuen Technologie ausgeliefert. Mit den in Villach gefertigten Erzeugnissen können Kunden energieeffiziente Lösungen für E-Fahrzeuge, Schnellladestationen und Züge sowie für erneuerbare Energiesysteme und KI-Rechenzentren entwickeln. „Die Umsetzung unserer SiC-Fertigung schreitet wie geplant voran und wir sind stolz auf die ersten Kundenauslieferungen“, sagt Rutger Wijburg, COO von Infineon.

Als Kompetenzzentrum für neue Halbleitermaterialien im Konzern habe man „mit der Markteinführung der ersten Siliziumkarbid-Produkte auf 200-mm-Wafer erneut Innovationskraft bewiesen, sagt Thomas Reisinger, Vorstand für Operations bei Infineon Austria. Er verweist auf Erfolge in der Galliumnitrid-300-mm-Technologie und den Ultradünnwafern mit 20um auf Siliziumbasis. Dieser „technologische Hattrick“ sei eine „enorme Leistung“, lobt Reisinger.
Uwe Sommersguter

Kleine Zeitung